| Ders Adı | Kodu | Yarıyıl | T+U Saat | Kredi | AKTS |
|---|---|---|---|---|---|
| Elektronik I | EEM 210 | 4 | 4 + 0 | 4 | 4 |
| Kalkınma Amaçları |
|---|
|
| # | Ders Öğrenme Çıktıları | Öğretim Yöntemleri | Ölçme Yöntemleri |
|---|---|---|---|
| 1 | Yarıiletken malzemelerde akım iletimi hakkında bilgi sahibi olur. | Anlatım, Gezi / Gözlem, | |
| 2 | pn jonksiyonu ve yarıiletken diyodun kutuplanmasını, özeğrilerini, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir. | Anlatım, Gezi / Gözlem, | |
| 3 | Bipolar jonksiyonlu tranzistörün kutuplanmasını, karakteristik özeğrilerini, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir. | Anlatım, Gezi / Gözlem, | |
| 4 | Tranzistörlü Kuvvetlendirici türlerini bilir ve her kuvvetlendiricide BJT'ye ait değişken işaret eşdeğer devresini oluşturabilir. | Anlatım, Gezi / Gözlem, | |
| 5 | Mosfet ve Jfet'lerin türlerini ve türlerine göre çalışmasını, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir, Kuvvetlendirici devrelerde kullanılan Mosfet ve Jfet'lerin AC eşdeğer devresini oluşturur. | Anlatım, Gezi / Gözlem, | |
| 6 | Sıcaklığın BJT'nin akım gerilim parametrelerine etkisini bilir. | Anlatım, Gezi / Gözlem, |
| Hafta | Ders Konuları | Ön Hazırlık |
|---|---|---|
| 1 | Malzemelerin Elektriksel Olarak Sınıflandırılması, Yarıiletkenler- Has Yarıiletkenler, n-tipi yarıiletkenler, p-tipi yarıiletkenler | |
| 2 | Difüzyon akımı ve süreklilik denkleminin çıkarılması | |
| 3 | pn jonksiyonu ve yarıiletken diyodun kutuplanması | |
| 4 | Einstein bağıntısı ve diyot denklemi | |
| 5 | Diyodun akım-gerilim eğrisi, Diyodun değişken işaret eşdeğeri | |
| 6 | Geçiş bölgesi genişliği, jonksiyon ve difüzyon kapasiteleri, Diyot çeşitleri | |
| 7 | Bipolar jonksiyonlu tranzistörlerin kutuplanması, Ebers Moll Modeli ve denklemlerinin çıkarılması | |
| 8 | Ortak Bazlı, Ortak Kollektörlü, Ortak Emiterli Kuvvetlendiriciler | |
| 9 | Yıl İçi Sınavı | |
| 10 | BJT'de h-parametrelerinin çıkarılması, BJT'nin yüksek frekans eşdeğer devresi | |
| 11 | JFET'lerin sınıflarına göre kutuplanması, Akım-gerilim ilişkileri, AC eşdeğer devresinin çıkarılması | |
| 12 | MOSFET'lerin sınıflarına göre kutuplanması, Akım-gerilim ilişkileri, AC eşdeğer devresinin çıkarılması | |
| 13 | Bipolar jonksiyonlu tranzistörlerde bağıl duyarlılık | |
| 14 | Bipolar jonksiyonlu tranzistörlerde ısıl kararlılık |
| Kaynaklar | |
|---|---|
| Ders Notu | |
| Ders Kaynakları | Sait Türköz- Elektronik Devreler-I, Duran Leblebici-Elektronik Elemanlar, Halit Pastacı-Elektronik Devreler |
| Sıra | Program Çıktıları | Katkı Düzeyi | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |||
| 3 | Karmaşık bir sistemi, süreci, cihazı veya ürünü gerçekçi kısıtlar ve koşullar altında, belirli gereksinimleri karşılayacak şekilde tasarlama becerisi; bu amaçla modern tasarım yöntemlerini uygulama becerisi. | ||||||
| 3 | Karmaşık bir sistemi, süreci, cihazı veya ürünü gerçekçi kısıtlar ve koşullar altında, belirli gereksinimleri karşılayacak şekilde tasarlama becerisi; bu amaçla modern tasarım yöntemlerini uygulama becerisi. | ||||||
| 3 | Karmaşık bir sistemi, süreci, cihazı veya ürünü gerçekçi kısıtlar ve koşullar altında, belirli gereksinimleri karşılayacak şekilde tasarlama becerisi; bu amaçla modern tasarım yöntemlerini uygulama becerisi. | ||||||
| 3 | Karmaşık bir sistemi, süreci, cihazı veya ürünü gerçekçi kısıtlar ve koşullar altında, belirli gereksinimleri karşılayacak şekilde tasarlama becerisi; bu amaçla modern tasarım yöntemlerini uygulama becerisi. | ||||||
| 4 | Mühendislik uygulamalarında karşılaşılan karmaşık problemlerin analizi ve çözümü için gerekli olan modern teknik ve araçları seçme ve kullanma becerisi; bilişim teknolojilerini etkin bir şekilde kullanma becerisi. | ||||||
| 4 | Mühendislik uygulamalarında karşılaşılan karmaşık problemlerin analizi ve çözümü için gerekli olan modern teknik ve araçları seçme ve kullanma becerisi; bilişim teknolojilerini etkin bir şekilde kullanma becerisi. | ||||||
| 8 | Yaşam boyu öğrenmenin gerekliliği konusunda farkındalık; bilgiye erişebilme, bilim ve teknolojideki gelişmeleri izleme ve kendini sürekli yenileme becerisi. | ||||||
| # | Ders Öğrenme Çıktılarının Program Çıktılarına Katkısı | PÇ 3 | PÇ 3 | PÇ 3 | PÇ 3 | PÇ 4 | PÇ 4 | PÇ 8 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Yarıiletken malzemelerde akım iletimi hakkında bilgi sahibi olur. | |||||||
| 2 | pn jonksiyonu ve yarıiletken diyodun kutuplanmasını, özeğrilerini, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir. | |||||||
| 3 | Bipolar jonksiyonlu tranzistörün kutuplanmasını, karakteristik özeğrilerini, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir. | |||||||
| 4 | Tranzistörlü Kuvvetlendirici türlerini bilir ve her kuvvetlendiricide BJT'ye ait değişken işaret eşdeğer devresini oluşturabilir. | |||||||
| 5 | Mosfet ve Jfet'lerin türlerini ve türlerine göre çalışmasını, akım-gerilim ilişkilerini ve bağıntılarını bilir, Kuvvetlendirici devrelerde kullanılan Mosfet ve Jfet'lerin AC eşdeğer devresini oluşturur. | |||||||
| 6 | Sıcaklığın BJT'nin akım gerilim parametrelerine etkisini bilir. |
| Değerlendirme Sistemi | |
|---|---|
| Yarıyıl Çalışmaları | Katkı Oranı |
| 1. Ara Sınav | 50 |
| 1. Kısa Sınav | 15 |
| 2. Kısa Sınav | 15 |
| 1. Ödev | 20 |
| Toplam | 100 |
| 1. Yıl İçinin Başarıya | 60 |
| 1. Final | 40 |
| Toplam | 100 |
| AKTS - İş Yükü Etkinlik | Sayı | Süre (Saat) | Toplam İş Yükü (Saat) |
|---|---|---|---|
| Ders Süresi (Sınav haftası dahildir: 16x toplam ders saati) | 16 | 6 | 96 |
| Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi(Ön çalışma, pekiştirme) | 16 | 2 | 32 |
| Ara Sınav | 1 | 4 | 4 |
| Kısa Sınav | 2 | 3 | 6 |
| Ödev | 2 | 2 | 4 |
| Performans Görevi (Laboratuvar) | 3 | 9 | 27 |
| Final | 1 | 4 | 4 |
| Ders Süresi (Sınav haftası dahildir: 16x toplam ders saati) | 16 | 4 | 64 |
| Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi(Ön çalışma, pekiştirme) | 16 | 3 | 48 |
| Ara Sınav | 1 | 2 | 2 |
| Kısa Sınav | 2 | 1 | 2 |
| Ödev | 1 | 7 | 7 |
| Final | 1 | 2 | 2 |
| Toplam İş Yükü | 298 | ||
| Toplam İş Yükü / 25 (Saat) | 11,92 | ||
| dersAKTSKredisi | 4 | ||